SSD M.2 NVME 512GB G3 HIKSEMI WAVE
inTamaño del producto: M.2 2280Capacidad: 512GBMáx. Sec. Lectura (MB/S): 2500 MB/sMáx. Sec. Escritura (MB/S): 1025 MB/s Máx. Corrió. IOPS de lectura 4K: 55KMáx. Corrió. IOPS de escritura 4K: 225KMáx. Consumo de energía: 2,2 WTBW: 120 TBMedio de almacenamiento: 3D NANDInterfaz: PCIeMTBF: 1.500.000 horasTemperatura de funcionamiento: 0-70?Temperatura de almacenamiento: -40°C a 85°CPeso: 7gin
5 disponibles
Descripción
Disco sólido — SSD M.2 NVME 512GB G3 HIKSEMI WAVE.
Especificaciones
| M.2 | 2280 |
|---|---|
| Capacidadrn128GB | 256GB | 512GB | | 1024GB |
| Max. Ran. 4K IOPS de lecturarn55K | 90K | 55K | | 146K |
| 180K | 320K | 225K | | 128K |
| Máx. Consumo de energíarn1.3W | 1.6W | 2.2W | | 3.1W |
| 80TB | 100TB | 120TB | | 240TB |
| Temperatura de almacenamiento | |
| 40 °C to | 85 °C |
| Capacidad | 512 GB |
| Interfaz | M.2 |
Detalle del fabricante
Tamaño del producto
Máx. Sec. Lectura (MB/S)rn1200MB/s | 2280MB/s | 2500MB/s | 2450MB/s
Máx. Sec. Escritura (MB/S)rn950MB/s | 1800MB/s | 1025MB/s | 2450MB/s
Máx. Ran. 4K escritura IOPS
TBW
Medio de almacenamientorn3D NAND
Interfaz
PCIe
MTBF
1,500,000 hours
Temperatura de funcionamientorn0-70?
Pesorn=7g
Garantíarn3 years
