SSD M.2 NVME 512GB G3 HIKSEMI WAVE

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inTamaño del producto: M.2 2280Capacidad: 512GBMáx. Sec. Lectura (MB/S): 2500 MB/sMáx. Sec. Escritura (MB/S): 1025 MB/s Máx. Corrió. IOPS de lectura 4K: 55KMáx. Corrió. IOPS de escritura 4K: 225KMáx. Consumo de energía: 2,2 WTBW: 120 TBMedio de almacenamiento: 3D NANDInterfaz: PCIeMTBF: 1.500.000 horasTemperatura de funcionamiento: 0-70?Temperatura de almacenamiento: -40°C a 85°CPeso: 7gin

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Descripción

Descripción

Disco sólido — SSD M.2 NVME 512GB G3 HIKSEMI WAVE.

Especificaciones

M.2 2280
Capacidadrn128GB | 256GB | 512GB | 1024GB
Max. Ran. 4K IOPS de lecturarn55K | 90K | 55K | 146K
180K | 320K | 225K | 128K
Máx. Consumo de energíarn1.3W | 1.6W | 2.2W | 3.1W
80TB | 100TB | 120TB | 240TB
Temperatura de almacenamiento
40 °C to 85 °C
Capacidad 512 GB
Interfaz M.2

Detalle del fabricante

Tamaño del producto

Máx. Sec. Lectura (MB/S)rn1200MB/s | 2280MB/s | 2500MB/s | 2450MB/s

Máx. Sec. Escritura (MB/S)rn950MB/s | 1800MB/s | 1025MB/s | 2450MB/s

Máx. Ran. 4K escritura IOPS

TBW

Medio de almacenamientorn3D NAND

Interfaz

PCIe

MTBF

1,500,000 hours

Temperatura de funcionamientorn0-70?

Pesorn=7g

Garantíarn3 years